扫描光刻设备的持续技术迭代，为关键尺寸（CD）的不断缩小提供了可能。随着半导体制造工艺迈入 45 纳米浸没式光刻及更先进节点，光刻技术需攻克一系列难题以实现分辨率的进一步提升。而 XLR 系列凭借精准度、稳定性与运行效率三大核心特性，能够满足日益严苛的关键尺寸预算要求 —— 其主要通过提升晶圆生产效率，一方面优化工艺控制精度，另一方面确保成本可控性，从而为先进制程的落地提供关键支撑。

ASML 旗下的 CYMER XLA 系列光刻机，就像一位 “精密雕刻师”，凭借顶尖技术为芯片 “绘制” 微观电路，撑起高端芯片生产的关键环节。
193nm ArF准分子激光器XLA系列，是ASML TWINSCAN系列光刻机的核心部分，利用极紫外光（EUV）技术，将芯片设计图上的电路图案精准投射到硅片上，形成纳米级的电路结构。CYMER XLA系列能实现超高精度的图案曝光，支持 7 纳米及更先进制程芯片的生产，比如我们常用的高端智能手机芯片、人工智能服务器芯片，不少都依赖它完成关键制造步骤。

CYMER ELS7000系列，满足 100 纳米以下光刻应用需求。
技术先进的 ELS-7000系列可满足 248 纳米曝光设备大规模生产 0.10 微米以下（即 100 纳米以下）器件的需求。该设备能为芯片制造商提供 4 千赫兹（4 kHz）、40 瓦（40 W）的光输出，同时具备超窄带宽性能与高速波长控制功能。ELS-7000系列的设计融入了先进架构与材料，大幅降低了光源的运行成本。

CYMER ELS 6000 是Cymer品牌推出的一款深紫外(DUV)准分子激光光源，主要用于先进半导体芯片制造中的光刻工艺。采用氪氟(KrF)准分子激光技术，输出波长为248nm，适配深紫外光刻设备，主要用于28nm及以上技术节点的芯片制造，支持逻辑芯片、存储芯片等的图形化制程。具备高输出功率、高稳定性和长使用寿命，可满足大规模半导体量产对光刻精度与效率的需求。

准分子激光技术通过激发特定气体分子产生248nm波长激光，实现超高分辨率成像和纳米级加工，峰值功率5kW、重复率20kHz，适用于半导体光刻、MEMS制造及医疗领域，兼具高稳定性与低维护成本。
CYMER ELS5000系列在半导体制造领域的应用案例丰富，涵盖了功率器件、先进制程芯片、显示面板等多个领域。

GIGAPHOTON G41系列支持 100nm 技术节点的4kHz ArF 准分子激光机
主要特色：
全新设计的固体脉冲电源，可发射频率 4000 Hz 的激射光，达到 20W 的高产
继承 GIGAPHOTON KrF 激射（G10K/G20K 系列）的高可靠性设计